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SiFotonics 全球首款CMOS工艺 10G Ge-Si APD 问世
2013-06-07 14:37:50



2013年6月Sifotonics发布自行研发设计的10G APD 及 APD array产品。该款APD基于CMOS工艺制程,带宽达到8GHz以上,灵敏度达到-26dBm,为10G PON市场及10G DWDM市场提供了全新的低成本解决方案;详细产品信息请查询SiFotonics 官网产品目录。


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