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SiFotonics 硅光技术突破性进展:APD性能全面超越III-V
2015-11-17 16:29:41

        最近,SiFotonics公司在硅光领域中取得了决定性的突破:SiFotonics研发的正面入射型高速锗硅雪崩二极管(APD), 在几乎所有的通信波段的性能都超越了传统III-V族材料APD(例如,10G Ge/Si APD ROSA在1310nm和1550nm灵敏度达到了-29.5dBm), 这是硅光有源芯片里程碑式的进展。 下图是Ge/Si 10G APD的灵敏度测试结果:



      SiFotonics Ge/Si APD是一款技术革命性产品,目前, SiFotonics Ge/Si APD性能迅速得到了来自美国,中国和日本光通信公司的广泛认可。公司CEO潘栋博士谈到:"近十年来硅光技术一直非常火热,虽然硅光产品有明显的成本优势,但市场占有率很低,其根本原因是过去的硅光产品和传统III-V族产品在性能上有一定的差距。 由于高性能APD芯片是光通讯领域用量最大的产品之一, 因此SiFotonics Ge/Si APD在性能上取得的突破性进展,这意味着硅光产品开始大规模的进入光通讯领域, 例如光纤到户, 数据中心等。因为硅光芯片很适合大批量规模生产, 我们期待在未来几年里会在市场上迅速占有大量的份额”.  

      SiFotonics作为硅光领域中的国际顶尖公司之一,在过去八年中, 一直致力于高速Ge/Si APD/PD和光电集成器件的研发和生产。该公司的高速Ge/Si雪崩二极管是由国际leading CMOS Foundry代工生产,保证了其良好的可靠性,良率,重复性和一致性。


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