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SiFotonics 25G APD硅光芯片性能超III-V 获国际市场认证
2015-11-26 09:41:09


       SiFotonicsTechnologies,目前国际硅光技术领域领先企业之一,近期正式发布25G锗硅雪崩光电探测器芯片(Ge/Si APD)AP2005,其1310nm灵敏度达到-22.5dBm,为目前业界25G探测器最高水平,此性能相继得到日本顶尖光通信公司验证,目前已开始小批量出货。

       AP2005是Sifotonics的新一代APD产品,其采用了突破性的设计和工艺,产品在标准的CMOS晶圆制造厂生产。该款产品克服了上一代产品暗电流偏大、响应度偏低的问题,具备高性能、高产量、支持非气密封装等优点,显示出强大的市场竞争力。下图为AP2005的灵敏度测试结果:


Back-to-back sensitivity of Ge/Si APD ROSA

(λ=1309.14nm, ER=9dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ,w/o CDR, 25ºC)

      此芯片性能明显超过同等测试条件下的25G PIN (-14dBm左右)及25G III-V InP APD (-21dBm左右),被客户证明为目前业界25G探测器中的最高性能。

      长期以来,市场上的高性能APD器件一直由III-V族器件独占,此次25G硅光芯片的极佳表现得到了日本顶尖光通信公司的认可和订单,意义非凡。近十年来,硅光技术一直是光电产业的技术热点,很多大公司,如IBM和Intel,均投入大量资源研发,但其市场占有率一直不理想。硅光器件一直试图冲破传统光器件的包围,找到市场的突破点。SiFotonics 25G硅光APD器件AP2005,在性能上超越传统材料APD,是硅光技术的重要里程碑。同时,该产品对日益发展的100G网络也具有重大意义:在很多场合,特别是日益扩展的数据中心需要较长的距离连接,它可以直接取代半导体光放大器(SOA)。25G 硅光 APD可以用于100GBASE ER4-lite,长途干线及数据中心等应用领域。

       公司 CEO潘栋博士表示:“基于4x25G的100G应用是未来光通信产业的海量市场,也是硅光技术目前的主战场。经过近十年的技术积累,我们的硅光芯片在性能上已逐渐追上并超过III-V芯片,在量产能力、可靠性等方面也已经过市场验证。实际上我们的多款硅光探测器芯片已在大量出货,目前更多的研发力量已投入到硅光集成芯片上。此次的25G APD只是初露锋芒,借助硅基技术强大的技术平台优势,我们不久就会发布更加激动人心的高度光电集成100G芯片产品。”

ICCSZ讯 http://www.iccsz.com/site/cn/News/2015/11/21/20151121091517314335.htm


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