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硅光集成技术进步显著——SiFotonics 推出100G/200G全集成相干发射接收芯片
2016-12-15 11:18:38


硅光领军企业之一SiFotonics Technologies宣布成功开发100G/200G全集成相干发射接收机一体芯片TR4Q11,为Metro客户应用提供更加小型、更低成本、更高集成度的解决方案。

2015年底,SiFotonics曾推出100G全集成相干接收机芯片CR4Q01。值此一年之际,SiFotonics集成芯片团队再次成功开发出100G/200G全集成相干发射接收芯片。此产品符合OIF正在制定中的IC-TROSA应用协议,并能够兼容支持100G DP-QPSK 和200G

DP-16QAM系统传输。

TR4Q11单片集成了一系列由SiFotonics独创的光纤波导耦合器、偏振旋转分束/合束器、90°混频器、8个40GHz Ge/Si波导型光探测器阵列、8个25GHz IQ调制器、可调光衰减器及MPD等,共计多达60多个有源和无源光波导元件被集成到面积仅为6.45×7.7 mm²的光芯片中,是目前报道的最高集成度的光集成芯片之一。高集成度不仅仅带来封装尺寸减小,更重要的是通过高度集成技术大幅降低光器件封装复杂度、封装时间和封装成本,从根本上突破光器件一直以来的封装成本过高的局限。


图: (左)100G/200G全集成相干发射接收芯片;(右)发射机星座图

SiFotonics负责硅光子芯片工艺开发的资深总监洪菁吟博士提到:“尽管用于制造IC芯片的CMOS工艺已经非常先进和成熟,然而将其用于制造硅光集成芯片却并不是那么容易——这花费了我们近十年的时间,解决了数不清的工艺和设计难题。最终我们开发出了适用于硅光集成器件制造的CMOS工艺,开始硅光芯片的大批量生产,先是单个探测器与探测器阵列芯片, 然后是全集成收发芯片。”

SiFotonics CEO潘栋博士补充道:“尽管从事光电器件的开发已有20余年, 还是第一次看到如此高集成度的光芯片, 连同我们前些日子报道的业界最高性能25G APD 芯片, 硅光时代已经来到。在销售市场上我们的新产品海内外订单旺盛, 扩产压力增大, 内部对各方面人才的需求也与日俱增,特别是高端100G和相干器件的设计、封装、测试等方面。我们一路走来,相信硕果已不遥远。”


关于SiFotonics:
SiFotonics Technologies致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者,为客户提供下一代高速通讯解决方案。自2006年以来,公司一直致力于建立硅光子技术的领导地位。通过与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线, SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化,目前该产线已完成硅光子集成技术的相关工艺开发,且
100G/400G全集成相干接收芯片已准备量产



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