解决方案

Ge/Si PIN Photodiodes

硅基锗外延技术推动了硅基光电技术的发展——面向骨干网、接入网、数据中心互联、LTE网络等领域应用的近红外波长(850nm-1600nm)的光探测器,为客户提供了低成本光电器件解决方案。由于该技术采用CMOS工艺,在光器件产能、一致性、可靠性和制造成本方面对比传统技术有显著的提升,同时具备低电容、高带宽的产品特点。通过多年的研发投入,SiFotonics已经将PIN PD及APD产品性能提升到III-V族材料同类产品水平,可提供10G到25G的全系列产品:

l 对850/1310/1490/1550/1577nm 等波长响应优化
l 顶面入光,电极都位于顶面,便于封装
l 可提供10G/25G样品

Ge/Si Avalanche Photodiodes

SiFotonics锗硅雪崩探测器采用吸收、电荷、增益分离(SACM)结构,获益于锗材料对近红外光的高吸收率及硅材料作为增益层的低k-系数,从而使得SiFotonics雪崩探测器同时具有出色的吸收效率、高增益和低噪声系数。一直以来,SiFotonics致力于研发性能优良的Ge/Si雪崩探测器,兼具坚固性、一致性和出色的可靠性。目前我们的2.5 Gb/s和10 Gb/s Ge/Si雪崩二极管已经在标准CMOS代工厂批量生产。相比于传统基于InP和InAlAs材料的雪崩探测器,基于硅材料的Ge/Si器件具有更低的温度系数,并可以在-40°C到85°C的宽温度范围工作。SiFotonics可提供多种芯片以满足客户不同的需求:
l 针对850/1310/1490/1550/1577nm 等波长响应优化
l 顶面入光,电极都位于顶面,便于打线封装
l 低工作偏压<30v
l 可提供2.5G/10G样品

Ge/Si PIN/APD Arrays

利用CMOS工艺在产品量产过程中良好的一致性和稳定性的优势,SiFotonics开发了性能优良的PIN PD 和 APD Array产品,并可以根据不同应用和市场提供定制器件:
l 针对850/1310/1490/1550/1577nm 等波长优化
l 芯片间距可选: 250/500/750um
l 通道数可选:1x4,1x8, 1x10, 1x12
l 可提供芯片间距及通道数定制
l 可提供电极位置及图形客制


SOI-based photonics integrated circuits

随着移动网络、云服务和视频流对流量需求急速增加,网络带宽需求急剧增长。基于SOI基片的光子集成芯片(Si PIC)被一致认为是满足低成本和小尺寸模块的关键技术。SiFotonics现已针对骨干网和数据中心的需求建立了最新的100G硅光子技术平台,包括宽带光纤波导耦合器、28Gb/s硅基调制器,偏振旋转分束器,90o混频器,32Gb/s波导型光探测器以及其他一系列低插损光无源组件。在此基础上,SiFotonics已成功研制出高集成度、高性能100G相干接收机(ICR)芯片与100G PSM4芯片。



Optical HDMI SERDES

近年来在消费电子、视频监控等领域对于高速视频传输的需求快速增长,USB 3.0/HDMI1.4a等相应的技术标准也在被广泛应用,但传输距离和图像质量始终是一个瓶颈,使用光纤方案替代传统的铜缆进行高速、无损视频传输终将是技术发展的必然趋势。SiFotonics专注于各类SERDES产品的技术及研发已有多年时间,并在2013年推出全球首款应用于HDMI无损传输的有源光缆SERDES解决方案,目前该产品已经通过多家厂商的测试评估,针对不同的视频源端和显示终端都表现出很好的兼容性。

Transceiver ICs – VL/LL

SiFotonics针对目前光通讯模块市场应用最为广泛的 MMF SFP+及 PON应用开发了相应的SoC芯片,真正实现了模块设计的单芯片方案, 客户简化设计,节约成本极为便利,配合SiFotonics SERDES芯片也可实现有源光缆的广泛应用。



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